| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FDS6675A |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Fairchild Semiconductor | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
|
|
FDS6675A参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2330pF @ 15V 功率 - 最大值：1W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： DC DC ConVE-BWM-CV-S 圆形 - 外壳MS3476W18-30SX-LC 线路滤波器FN2090B-10-06 嵌入式 - FPGM1AGL600V2-FG484 功率，高于 2 安G2RL-2ADC6 Card EdgeGSA30DRMZ-S664 压力P51-75-A-M-I36-4.5OVP-000 Card EdgeGEM06DRXH 矩形H3BBH-5006M 三端双向可控硅开关Q8016RH4TP |
|||||